間欠供給MOCVD法を用いたhigh-k膜の作製

ゲート絶縁膜に従来から使用されてきたSiO2より誘電率の高い材料を使用することにより、物理的な膜厚を維持したままでEOT(SiO2換算膜厚)値を低下させ、これによりMOS構造の容量値の増大を図り、FETの高集積化を目指すことに注目が集まっている。

本研究では、高誘電体であるZrO2,HfO2を間欠供給MOCVD法によりSi基板上に堆積させ、その特性を評価する。

[研究担当者]

技官 岩崎好孝