ゲート絶縁膜としてのSiO2膜作製および評価

従来使われてきたゲート絶縁膜であるSiO₂は高い絶縁性を持ちなおかつ、他の絶縁物よりも化学的、物理的に安定である。

我々はSiO₂の作成手法としてKrプラズマ酸化法、ECRスパッタ法を採用し評価している。

[研究担当者]

M1 関谷陽介

B4 多田優威