Ge基板を用いたMOS構造におけるゲート絶縁膜の作成及び評価

従来半導体材料として使用されてきたSiに代わり、より移動度の高いGeが注目されている。　

当研究室では、熱酸化法やプラズマ酸化法により作製したGeO₂/Ge、またはhigh-k/Ge構造の作成および評価を行っている。

[研究担当者]

M2 大竹博義

B4 和知祥太郎